Amplificadores inalámbricos basados en silicio alcanzan los 10 Gbps
En la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido se anunció la creación de un amplificador basado en silicio, capaz de operar en un rango de entre 70 GHz y 110 GHz. El silicio permitiría transferencias de datos a una velocidad de 10 Gbps en distancias de hasta 1 kilómetro. Esta cifra supera ampliamente otras velocidades alcanzadas hasta ahora.
James Buckwalter, un profesor asistente en San Diego, inventó el amplificador y lo nombró como Amplificador Constructivo de Ondas en Casacada. Según sus propias palabras: ‘El amplificador constructivo de ondas en casacada es una nueva arquitectura en circuitos que puede empujar al silicio a nuevos regímenes de operación, cercanos a los límites fundamentales de la Ley de Moore y permitir una alta tasa de transferencia de datos dentro del espacio electromagnético en un rango milimétrico de onda. Estamos explorando qué rol juega el silicio a frecuencias que exceden los 100 Gigahertz. El silicio tiene la ventaja de permitir una integración barata de las microondas y ahora quizás de componentes de ondas milimétricos’.
Esta área de la frecuencia del espectro electromagnético no ha tenido un gran uso comercial a pesar de sus deseables propiedades. Historicamente esto se debió al alto costo de crear transceptores que puedan operar en este rango. La nueva solución de silicio no simplemente reduce costos, sino también permite la produción masiva.
Vía: TG Daily
